IRFR 3410

IRFR3410
Transistor MOSFET N-Ch 100V 31A 110W 0,039R D-Pak

Infineon (IR) : IRFR3410PbF
Datenblatt [231 KB]

Produkt-ID: 00640

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Technische Daten

IRFR 3410
Leistungs-MOSFET

Polarität: N-Kanal
Drain-Source-Spannung: 100 V
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom: 31 A
Verlustleistung: 110 W
Einschaltwiderstand: 0,039 Ω
Schwellenspannung: 2 V
Einschaltverzögerung: 12 ns
Ausschaltverzögerung: 40 ns
Betriebstemperatur: -55/+175 °C
Gehäuse: D-Pak
RoHS: konform

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