IRF 7492

IRF7492 Transistor MOSFET N-Kanal
Drain-Source-Spannung: 200 V
Drainstrom: 3,7 A
Verlustleistung: 2,5 W
Einschaltwiderstand: 0,079 Ohm
Gehäuse: SO-8

Produkt-ID: 01761

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Technische Daten

IRF 7492
Leistungs-MOSFET

Polarität: N-Kanal
Drain-Source-Spannung: 200V
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom: 3,7 A
Verlustleistung: 2,5 W
Einschaltwiderstand: 79 mΩ
Schwellenspannung: 2,5 V
Einschaltverzögerung: 15 ns
Ausschaltverzögerung: 27 ns
Gehäuse: SO-8
RoHS: konform

Datenblatt [184 KB]

International Rectifier
IRF7492PbF

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