IRF 7101

IRF7101 Transistor MOSFET 2x N-Kanal
Drain-Source-Spannung: 20 V
Drainstrom: 3,5 A
Verlustleistung: 2 W
Einschaltwiderstand: 0,1 Ohm
Gehäuse: SO-8

Produkt-ID: 03069

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Technische Daten

IRF 7101
Leistungs-MOSFET

Polarität: 2x N-Kanal
Drain-Source-Spannung: 20V
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom: 3,5 A
Verlustleistung: 2 W
Einschaltwiderstand: 100 mΩ
Schwellenspannung: 1 V
Einschaltverzögerung: 7 ns
Ausschaltverzögerung: 24 ns
Gehäuse: SO-8
RoHS: konform

Datenblatt [276 KB]

Infineon (International Rectifier)
IRF7101PbF

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