IRF 610

IRF610 Transistor MOSFET N-Kanal
Drain-Source-Spannung: 200 V
Drainstrom: 3,3 A
Verlustleistung: 36 W
Einschaltwiderstand: 1,5 Ohm
Gehäuse: TO-220AB

Produkt-ID: 00407

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Technische Daten

IRF 610
Leistungs-MOSFET

Polarität: N-Kanal
Drain-Source-Spannung: 200V
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom: 3,3 A
Verlustleistung: 36 W
Einschaltwiderstand: 1,5 Ω
Gate-Schwellenspannung: 2 V
Einschaltverzögerung: 8,2 ns
Ausschaltverzögerung: 14 ns
Gehäuse: TO220AB
RoHS: konform

Datenblatt [283 KB]

Vishay (International Rectifier)
SiHF610 = IRF610PbF

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