IRF 1310 NS

IRF1310NS Transistor MOSFET N-Kanal
Drain-Source-Spannung: 100 V
Drainstrom: 42 A
Verlustleistung: 160 W
Einschaltwiderstand: 0,036 Ohm
Gehäuse: D2Pak

Produkt-ID: 01774

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Technische Daten

IRF 1310NS
Leistungs-MOSFET

Polarität: N-Kanal
Drain-Source-Spannung: 100V
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom: 42 A
Verlustleistung: 160 W
Einschaltwiderstand: 36 mΩ
Gate-Schwellenspannung: 2 V
Einschaltverzögerung: 11 ns
Ausschaltverzögerung: 45 ns
Gehäuse: D2Pak
RoHS: konform

Datenblatt [716 KB]

Infineon (International Rectifier)
IRF1310NPbF

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