IRFR 9120 N

IRFR9120N
Transistor MOSFET P-Ch 100V 6,6A 40W 0,48R D-Pak

Infineon (IR) : IRFR9120NPbF
Datenblatt [257 KB]

Produkt-ID: 00451

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Technische Daten

IRFR 9120N
Leistungs-MOSFET

Polarität: P-Kanal
Drain-Source-Spannung: 100 V
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom: 6,6 A
Verlustleistung: 40 W
Einschaltwiderstand: 0,48 Ω
Schwellenspannung: 2,0 V
Einschaltverzögerung: 14 ns
Ausschaltverzögerung: 28 ns
Betriebstemperatur: -55/+150 °C
Gehäuse: D-Pak
RoHS: konform

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