IRF 540 NS

IRF540NS Transistor MOSFET N-Kanal
Drain-Source-Spannung: 100 V
Drainstrom: 33 A
Verlustleistung: 130 W
Einschaltwiderstand: 0,044 Ohm
Gehäuse: D2Pak

Produkt-ID: 01770

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Technische Daten

IRF 540NS
Leistungs-MOSFET

Polarität: N-Kanal
Drain-Source-Spannung: 100V
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom: 33 A
Verlustleistung: 130 W
Einschaltwiderstand: 44 mΩ
Gate-Schwellenspannung: 2 V
Einschaltverzögerung: 11 ns
Ausschaltverzögerung: 39 ns
Gehäuse: D2Pak
RoHS: konform

Datenblatt [269 KB]

Infineon (International Rectifier)
IRF540NSPbF

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