IRG 4 BC 20 KD

IRG4BC20KD
Transistor IGBT N-Ch 600V 16A 60W TO-220AB

Infineon (IR) : IRG4BC20KDPdF
Datenblatt [315 KB]

Produkt-ID: 00091

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Technische Daten

IRG 4BC20KD
Leistungs-MOSFET

Polarität: N-Kanal
Kollektor-Emitter-Sp.: 600 V
Gate-Emitter-Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 16 A
Verlustleistung: 60 W
Schwellenspannung: 3,0 V
Einschaltverzögerung: 54 ns
Ausschaltverzögerung: 180 ns
Betriebstemperatur: -55/+150 °C
Gehäuse: TO-220AB
RoHS: konform

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